超薄 Bi2Se3 薄膜中体态弱反局域化与弱局域化之间的交叉
介观与纳米尺度物理
2014-07-28 v3
摘要
我们报告了通过分子束外延技术生长的 5 nm 厚 Bi2Se3 拓扑绝缘体薄膜的输运研究。角分辨光电子能谱数据显示，系统的费米能级位于狄拉克点上方的体态导带中，表明体态对输运结果有重要贡献。特别是，在高达 50 Tesla 的平行磁场测量中，观察到了体态从弱反局域化到弱局域化的交叉。测得的磁电阻表现出相对于 B//和 I 方向的有趣各向异性，标志着 Bi2Se3 薄膜中固有的自旋 - 轨道耦合。我们的工作直接展示了体态中量子干涉效应从弱反局域化到弱局域化的交叉。这是迈向更好地理解现有三维拓扑绝缘体及纳米尺度拓扑绝缘体器件潜在应用的重要一步。
引用
@article{arxiv.1310.5194,
title = {Crossover between Weak Antilocalization and Weak Localization of Bulk States in Ultrathin Bi2Se3 Films},
author = {Huichao Wang and Haiwen Liu and Cui-Zu Chang and Huakun Zuo and Yanfei Zhao and Yi Sun and Zhengcai Xia and Ke He and Xucun Ma and X. C. Xie and Qi-Kun Xue and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5194},
year = {2014}
}