拓扑绝缘体 Bi2Se3 中依赖于厚度的体性质及弱反局域化效应
材料科学
2011-08-30 v2
摘要
我们表明，拓扑绝缘体 (TI) Bi2Se3 的许多输运性质在高达五个数量级的厚度范围 (3 nm - 170 μm) 内表现出显著的厚度依赖性。体载流子密度随厚度增加而降低，推测是由于硒空位的扩散限制形成。在薄膜区域内，迁移率随厚度线性增加，并在厚度较大时趋于饱和。在两个数量级的厚度范围内，弱反局域化效应由单个二维通道主导。相位相干长度的亚线性厚度依赖性表明表面态与体态之间存在强耦合。
引用
@article{arxiv.1104.0913,
title = {Thickness-dependent bulk properties and weak anti-localization effect in topological insulator Bi2Se3},
author = {Yong Seung Kim and Matthew Brahlek and Namrata Bansal and Eliav Edrey and Gary A. Kapilevich and Keiko Iida and Makoto Tanimura and Yoichi Horibe and Sang-Wook Cheong and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0913},
year = {2011}
}
备注
16 pages, 4 figures