Bi$_2$Se$_3$薄膜中耦合多通道输运的弱反局域化与电子-电子相互作用
介观与纳米尺度物理
2016-01-26 v1
摘要
在一个拓扑绝缘体BiSe薄膜中，于Hall-bar构型下研究了电子输运性质。该厚度为10 nm的薄膜通过范德瓦耳斯外延生长在氟金云母(fluorophlogopite mica)上，并直接在云母衬底上从自生长薄膜制备Hall-bar器件。在低温下观测并分析了弱反局域化和电子-电子相互作用效应。从测量的弱反局域化特征中提取的相位相干长度随温度降低呈强幂律增长，并且表明薄膜中的输运是通过耦合的多通道（拓扑表面态和体态）进行的。薄膜的电导率随温度降低呈对数下降，因此电子-电子相互作用在低温下对薄膜电导率的量子修正中占主导地位。
引用
@article{arxiv.1512.04191,
title = {Weak antilocalization and electron-electron interaction in coupled multiple-channel transport in a Bi$_2$Se$_3$ thin film},
author = {Yumei Jing and Shaoyun Huang and Kai Zhang and Jinxiong Wu and Yunfan Guo and Hailin Peng and Zhongfan Liu and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.04191},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures