拓扑绝缘体薄膜中电子-电子相互作用的证据
介观与纳米尺度物理
2012-01-20 v2
摘要
在我们的工作中，我们考虑了通过分子束外延生长的高质量Bi₂Se₃单晶薄膜，包括有和无Pb掺杂的情况。我们的ARPES数据表明，在Pb掺杂薄膜中，拓扑表面态的费米能级位于体带隙内部。输运数据显示出弱局域化行为，正如二维系统所预期的那样，但在标准扩散输运理论框架下的详细分析表明，电阻的温度和磁场依赖性无法在忽略电子间相互作用的理论中得到调和。我们证明，当同时考虑无序和相互作用时，可以对电导率的量子修正做出极好的解释。这些结果清楚地表明，为了全面理解拓扑绝缘体中的扩散输运，必须包含电子-电子相互作用。
引用
@article{arxiv.1012.0271,
title = {Evidence for electron-electron interaction in topological insulator thin films},
author = {Jian Wang and Ashley M. DaSilva and Cui-Zu Chang and Ke He and J. K. Jain and Nitin Samarth and Xu-Cun Ma and Qi-Kun Xue and Moses H. W. Chan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0271},
year = {2012}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. B