MBE 生长的 (Bi_{1-x}Sb_x)_2Se_3 中鲁棒的拓扑绝缘体表面态
介观与纳米尺度物理
2016-11-28 v1
摘要
我们利用分子束外延 (MBE) 制备了 (Bi1-xSbx)2Se3 薄膜。我们展示了角分辨光电子能谱 (ARPES) 和输运证据，证明该三元系统中存在强且鲁棒的拓扑表面态。我们还观察到通过改变 Sb 掺杂水平可实现输运性质的大范围可调性，其中在 x=0.5 时可实现绝缘相。我们的结果揭示了该系统在研究可调拓扑绝缘体及基于金属 - 绝缘体转变的器件物理方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1611.08395,
title = {Robust topological insulator surface state in MBE grown (Bi_{1-x}Sb_x)_2Se_3},
author = {Y. Hung Liu and C. Wei Chong and W. Chuan Chen and J. C. A. Huang and C. -Maw Cheng and K. -Ding Tsuei and Z. Li and H. Qiu and V. V. Marchenkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08395},
year = {2016}
}