分子束外延生长的Sn1-xInxTe薄膜中的超导性
材料科学
2019-10-22 v1 超导电性
摘要
超导体SnInTe由拓扑晶体绝缘体SnTe衍生而来，是拓扑超导体的候选材料。迄今为止，该材料的高质量薄膜尚不可得，尽管此类样品有助于探明其超导性质。本文报道了以BiTe为缓冲层，成功通过分子束外延生长出超导SnInTe薄膜。在此类薄膜上制作的隧道结所得数据显示出现两个超导能隙，表明体超导与表面超导共存。鉴于表面态的自旋-动量锁定，表面超导预期具有有效的波特征拓扑超导性。由于SnTe的拓扑表面态由四个狄拉克锥组成，该平台为研究具有额外自由度的拓扑表面超导提供了有趣的舞台。
引用
@article{arxiv.1910.09381,
title = {Superconductivity in Sn$_{1-x}$In$_{x}$Te thin films grown by molecular beam epitaxy},
author = {Andrea Bliesener and Junya Feng and A. A. Taskin and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.09381},
year = {2019}
}
备注
6+3 pages, 6+2 figures