应变 Sn1-xInxTe 薄膜中弱局域化与超导涨落的共存观测
超导电性
2022-02-09 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑超导体引起了极大的关注，因为据预测其可承载可用于拓扑量子计算的 Majorana 零模。通过分子束外延生长并在 (111) 面施加应变的候选拓扑超导体 Sn1-xInxTe 薄膜（0<x<0.3）被证明具有三种共存的量子效应：局域化、反局域化以及临界温度 Tc 以上的超导涨落。对正常态磁电阻的分析揭示了这些效应。在超导样品中一致观察到弱局域化，表明超导主要起源于可能具有强自旋轨道分裂的平庸价带态。在 Tc 以上观察到电导的大幅增强，表明量子相干准粒子效应与超导涨落共存。我们的结果促使人们在量子限域和晶格应变下重新检验该材料颇具争议的配对对称性。
引用
@article{arxiv.2112.01569,
title = {Observation of coexisting weak localization and superconducting fluctuations in strained Sn1-xInxTe thin films},
author = {Jiashu Wang and William Powers and Zhan Zhang and Michael Smith and Bradlee J. McIntosh and Seul-Ki Bac and Logan Riney and Maksym Zhukovskyi and Tatyana Orlova and Leonid P. Rokhinson and Yi-Ting Hsu and Xinyu Liu and Badih A. Assaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.01569},
year = {2022}
}
备注
Manuscript in review