通过拓扑变换制备的超导 PdTe 薄膜，向拓扑超导体迈进
超导电性
2026-05-21 v1 材料科学
摘要
拓扑超导体（TSC）承载 Majorana 零模（MZMs），为实现容错量子计算提供了途径。PdTe 因其拓扑表面态和约为 4.5 K 的合理超导临界温度而是优秀的 TSC 候选材料。然而，制备具有批量相似超导性质的 PdTe 薄膜一直具有挑战性。本文表明，可以通过分子束沉积（MBE）制备高品质、超导的 PdTe 薄膜。薄膜表现出尖锐的超导转变（T_onset = 4.43 K，转变宽度为 0.06 K），与 Bulk 晶体相当。这一成果通过从 PdTe_2 缓冲层进行拓扑变换，并在 Te 贫乏条件下在其上生长 Pd 来实现。结构和输运分析确认 PdTe 的 NiAs 型结构，以及其二维超导行为和优异的空气稳定性。这些发现表明，MBE 制备的 PdTe 薄膜及其异构结构是拓扑超导性和 Majorana 物理的理想平台。
关键词
引用
@article{arxiv.2605.20437,
title = {Superconducting PdTe Thin Film Via Topotactic Transformation, Toward Topological Superconductors},
author = {Hee Taek Yi and Min Ge and Renjie Xie and Colby J. Stoddard and David H. Yi and Xiaoyu Yuan and Xiong Yao and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2605.20437},
year = {2026}
}
备注
14 pages, 4 figures, accepted for publication in ACS Applied Nano Materials