分子束外延生长的高度取向原子级薄层双极性MoSe₂
材料科学
2017-05-31 v1
摘要
过渡金属二硫属化物（TMDCs）与其他二维（2D）材料因其原子级薄层独特的光学和电学性质而引起了极大关注。为发挥其潜力，发展大面积生长并理解TMDCs的性质已变得至关重要。在此，我们使用分子束外延（MBE）在GaAs(111)B上生长原子级薄层MoSe₂。在生长薄膜的界面未检测到中间化合物。对生长温度的精心优化可导致高度取向薄膜的生长，由于反演对称性破缺，仅存在两种可能的晶体取向。生长薄膜可转移至绝缘衬底上，从而探测其光学和电学性质。通过使用聚合物电解质栅控，我们在MBE生长的MoSe₂中实现了双极性输运。温度依赖的输运特性可由二维变程跳跃（2D-VRH）模型解释，表明输运受到薄膜中无序的强烈限制。
引用
@article{arxiv.1705.10563,
title = {Highly-Oriented Atomically Thin Ambipolar MoSe$_2$ Grown by Molecular Beam Epitaxy},
author = {Ming-Wei Chen and Dmitry Ovchinnikov and Sorin Lazar and Michele Pizzochero and Michael Brian Whitwick and Alessandro Surrente and Michał Baranowski and Oriol Lopez Sanchez and Philippe Gillet and Paulina Plochocka and Oleg V. Yazyev and Andras Kis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.10563},
year = {2017}
}