通过分子束外延在蓝宝石上可扩展WSe2的逐层外延生长
材料科学
2017-09-12 v1
摘要
分子束外延(MBE)提供了一种简单而强大的方法来合成大面积高质量薄膜及多种材料的异质结构，包括成熟的III-V和II-VI族半导体以及新兴的氧化物和硫族化合物，从而在凝聚态物理中导致了重大发现。然而，对于二维(2D)材料，主要的制备途径一直是机械剥离和利用层间弱范德华键合特性的化学气相沉积，并且尽管MBE生长对未来先进研究具有根本重要性，但2D材料的MBE生长，特别是在用于输运测量的绝缘衬底上，一直受到限制。在此，我们报道了通过MBE在绝缘衬底上可扩展过渡金属二硫族化合物(TMDC)薄膜的逐层外延生长，并演示了双极性晶体管操作。所提出的生长方案广泛适用于其他TMDC，为实现具有各种2D材料的范德华异质结构以获取新颖性质和功能性提供了关键里程碑。
引用
@article{arxiv.1709.02912,
title = {Layer-by-layer epitaxial growth of scalable WSe2 on sapphire by molecular-beam epitaxy},
author = {Masaki Nakano and Yue Wang and Yuta Kashiwabara and Hideki Matsuoka and Yoshihiro Iwasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.02912},
year = {2017}
}