FeTe薄膜的分子束外延制备与原位表征
材料科学
2020-03-05 v1
摘要
我们在Te受限生长条件下通过分子束外延（MBE）合成了FeTe薄膜。我们发现，对于较宽范围的过量Fe值都可能进行外延逐层生长，该范围比从块体材料已知情况所预期的更宽。利用在Fe L和Te M边的X射线磁圆二色光谱，我们观察到高过量Fe的薄膜含有铁磁团簇，而较低过量Fe的薄膜保持非磁性。此外，X射线吸收光谱表明，有可能获得与高质量块体单晶FeTe电子结构非常相似的薄膜。我们的结果表明，采用Te受限生长的MBE可能提供机会来合成具有更少过量Fe的FeTe薄膜，从而更接近可能的超导相。
引用
@article{arxiv.2002.09507,
title = {Molecular beam epitaxy preparation and in situ characterization of FeTe thin films},
author = {V. M. Pereira and C. N. Wu and C. E. Liu and S. -S. Liao and C. F. Chang and C. -Y. Kuo and C. Koz and U. Schwarz and H. -J. Lin and C. T. Chen. L. H. Tjeng and S. G. Altendorf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.09507},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 6 figures accepted for publication in Physical Review Materials