拓扑半金属 NiTe$_2$ 的分子束外延生长与掺杂调制
材料科学
2024-08-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究使用分子束外延（MBE）技术制备了高质量拓扑半金属相 NiTe 薄膜，通过 X 射线衍射证实了明显的劳厄振荡。电输运实验表明，厚膜具有与体材料相似的性质。通过共沉积，我们在较薄薄膜的生长过程中引入了磁性或非磁性元素，显著改变了其电学性质。特别地，磁性元素 Cr 诱导了长程铁磁有序，导致 NiTe 薄膜中观察到显著的反常霍尔效应。霍尔电导率在居里温度以下几乎保持恒定，表明其与能带结构的内在拓扑性质相关。理论第一性原理能带计算支持了通过磁性掺杂在材料中产生外尔半金属态。这些发现为探索更多磁性外尔半金属材料以及基于拓扑半金属材料的相关低维量子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2408.01029,
title = {Molecular Beam Epitaxy Growth and Doping Modulation of Topological Semimetal NiTe$_2$},
author = {Liguo Zhang and Dapeng Zhao and Xiangyang Liu and Junwen Lai and Junhai Ren and Qin Wang and Haicheng Lin and Yan Sun and Katsumi Tanigaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.01029},
year = {2024}
}
备注
14 panges, 4 figures