HfTe2 半金属薄膜的分子束外延生长
材料科学
2016-11-29 v1
摘要
通过分子束外延（MBE）在 AlN(0001) 衬底上生长了 1T-HfTe2 半金属的外延薄膜。测量的面内晶格参数表明薄膜无应变，并且与 AlN 衬底在方位上对齐，尽管存在面内镶嵌展宽，这正是范德瓦耳斯外延所预期的。角分辨光电子能谱结合第一性原理电子能带结构计算显示出陡峭的线性色散导带和价带，它们在布里渊区中心附近相交，为 HfTe2/AlN 是一种外延拓扑狄拉克半金属提供了证据。
引用
@article{arxiv.1608.07114,
title = {Molecular Beam Epitaxy of thin HfTe2 semimetal films},
author = {Sigiava Aminalragia-Giamini and Jose Marquez-Velasco and Polychronis Tsipas and Dimitra Tsoutsou and Gilles Renaud and Athanasios Dimoulas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07114},
year = {2016}
}