MoSe2 在石墨、CaF2 和 graphene 上的分子束外延生长
材料科学
2014-12-19 v1
摘要
我们报道了在石墨、CaF2 和外延 graphene 上通过分子束外延 (MBE) 生长的二维 (2D) 材料二硒化钼 (MoSe2) 的结构和光学性质。广泛的表征表明，2H-MoSe2 在所有 3 种基底上均通过范德华外延生长，具有择优晶向和 1:2 的 Mo:Se 比例。在 CaF2 和外延 graphene 上的单层 MoSe2 中观察到了室温光致发光 (~1.56 eV)。带边吸收非常陡峭，在 3 个数量级范围内 <60 meV。通过提高 Mo 原子的迁移率来克服观察到的小晶粒问题，将使 MBE 成为制备高质量 2D 材料和异质结构的强大技术。
引用
@article{arxiv.1412.5728,
title = {Molecular beam epitaxial growth of MoSe2 on graphite, CaF2 and graphene},
author = {Suresh Vishwanath and Xinyu Liu and Sergei Rouvimov and Patrick C. Mende and Angelica Azcatl and Stephen McDonnell and Robert M. Wallace and Randall M. Feenstra and Jacek K. Furdyna and Debdeep Jena and Huili Grace Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.5728},
year = {2014}
}
备注
5 Figures in main paper and 6 figures in supplementary information