通过白炽钼源实现MoSe2的大面积外延生长
材料科学
2017-06-16 v4
摘要
我们开发了一种白炽钼（Mo）源，用于制备大面积单晶MoSe2薄膜。对所生长出的MoSe2薄膜，利用透射电子显微镜、能量色散X射线光谱、原子力显微镜、拉曼光谱、光致发光、反射高能电子衍射（RHEED）和角分辨光电子能谱（ARPES）进行了表征。我们确认了一个位于1591 cm-1的新拉曼特征峰。拉曼光谱、光致发光、RHEED和ARPES研究的结果一致表明，通过该技术可实现大面积单晶单层MoSe2。该技术与传统方法相比具有若干优势，并可推广至其他含有低蒸气压元素的二维层状材料的生长。
引用
@article{arxiv.1509.02694,
title = {Large-area epitaxial growth of MoSe2 via an incandescent molybdenum source},
author = {Man-Kit Cheng and Jing Liang and Ying-Hoi Lai and Liang-Xi Pang and Yi Liu and Junying Shen and Jianqiang Hou and Qing Lin He and Bochao Xu and Junshu Chen and Gan Wang and Chang Liu and Rolf Lortz and Iam-Keong Sou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02694},
year = {2017}
}