利用新型钼前驱体在 100 mm 蓝宝石衬底上生长高质量大晶粒 MoS2 薄膜
材料科学
2018-11-14 v1
摘要
二维 MoS2 是一种具有高应用潜力的结晶半导体。近年来的研究试图利用单层 MoS2 的直接带隙和高载流子迁移率特性实现功能化应用。迄今为止，MoS2 的制备仍停留在研究阶段，样品通常利用产量低、成本高昂的技术小量合成。为实现可扩展的 MoS2 基技术，必须获得大面积、高质量且低成本的 MoS2 晶圆。本文报道了在 100 mm 蓝宝石晶圆上，利用硫化氢与由 Na2MoO4 和 NaCl 组成的钼前驱体混合物，通过化学气相沉积工艺生长的 MoS2 薄膜。这些薄膜的晶粒呈多面形、面积大，边缘长度在 1–75 微米量级。确定了可制得单层 MoS2 薄膜的生长条件。拉曼光谱显示 E2g 与 A1g 峰分离为 17.9–19.1 cm-1。光致发光光谱表明，生长后退火可抑制激子三重态发射。退火薄膜的 X 射线光电子能谱显示 S:Mo 浓度比由 1.90:1.00 增至 2.09:1.00。
引用
@article{arxiv.1811.05044,
title = {High-quality, large-grain MoS2 films grown on 100 mm sapphire substrates using a novel molybdenum precursor},
author = {Paul Quayle and Bin Zhang and Jacob Leach and Brian Bersch and Joshua Robinson and Shanee Pacley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.05044},
year = {2018}
}