NaCl 辅助的基底依赖 MoS2 二维平面成核生长
材料科学
2020-12-29 v1
摘要
在不同基底上合成大面积、均匀、易转移且高结晶度的单层（1L）二硫化钼（MoS2），是一项挑战，并可能决定其在光电子器件应用中的适用性。在此，我们报道了一种在 amorphous、crystalline 与层状基底上通过 NaCl 辅助化学气相沉积（CVD）合成高质量 MoS2 的简便方法。光学显微镜与拉曼光谱表明，蓝宝石与 SiO2/Si 是生长大尺寸 1L-MoS2 薄片合适的基底，而云母则非常适合大面积连续薄膜。蓝宝石上 1L-MoS2 光致发光谱中主 A 激子峰（与 K 点直接带隙相关）较小的半高全宽（FWHM）表明其高结晶质量；而其他基底尤其是石英与裸 Si 上的 1L-MoS2 结晶质量较差。该研究表明，NaCl 有助于在基底上形成如 Na2S 和/或 Na2SO4 水溶性层之类的成核促进层，从而利于 MoS2 的二维平面成核。此类中间成核层的形成也因其易水溶性而有助于层转移。该研究可用于在不同基底上大规模合成 1L-MoS2，以制造高性能光电子器件。
引用
@article{arxiv.2003.12288,
title = {NaCl-Assisted Substrate Dependent 2D Planar Nucleated Growth of MoS2},
author = {Aditya Singh and Monika Moun and Madan Sharma and Arabinda Barman and Ashok Kumar Kapoor and Rajendra Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.12288},
year = {2020}
}