基于气-液-固法的晶圆级确定性图案化单层 MoS2 生长

Shisheng Li; Yung-Chang Lin; Xu-Ying Liu; Zehua Hu; Jing Wu; Hideaki Nakajima; Song Liu; Toshiya Okazaki; Wei Chen; Takeo Minari; Yoshiki Sakuma; Kazuhito Tsukagoshi; Kazu Suenaga; Takaaki Taniguchi; Minoru Osada

doi:10.1039/C9NR04612G

基于气-液-固法的晶圆级确定性图案化单层 MoS2 生长

材料科学 2019-08-07 v2 介观与纳米尺度物理

作者: Shisheng Li , Yung-Chang Lin , Xu-Ying Liu , Zehua Hu , Jing Wu , Hideaki Nakajima , Song Liu , Toshiya Okazaki , Wei Chen , Takeo Minari , Yoshiki Sakuma , Kazuhito Tsukagoshi , Kazu Suenaga , Takaaki Taniguchi , Minoru Osada

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摘要

气相输运是通过化学气相沉积(CVD)生长过渡金属硫族化合物(TMDCs)的核心过程。一个不可避免的问题是气相的空间不均匀性。过渡金属前驱体与硫族元素非化学计量供应导致对产物位置、形貌、结晶性、均匀性及批次间重复性的控制较差。而气-液-固(VLS)生长涉及在高于熔点的生长温度下的熔融前驱体。液态钼酸钠在硫蒸气饱和时可析出固态 MoS2 单层。利用 VLS 生长的优势，我们取得了三类重要成果：(a) 在 SiO2/Si 衬底上 4 英寸晶圆级均匀的 MoS2 薄片生长，(b) 在蓝宝石衬底上晶粒尺寸超过 100 um 的 2 英寸晶圆级连续 MoS2 薄膜生长，以及 (c) MoS2 薄片与薄膜的图案化(位点控制)生长。我们阐明 VLS 生长由此为二维 TMDC 单层的高效、可扩展合成开辟了新途径。

关键词

MoS2 化学气相沉积气-液-固生长晶圆级生长图案化生长过渡金属硫族化合物二维材料

引用

@article{arxiv.1906.05436,
  title  = {Wafer-Scale and Deterministic Patterned Growth of Monolayer MoS2 via Vapor-Liquid-Solid Method},
  author = {Shisheng Li and Yung-Chang Lin and Xu-Ying Liu and Zehua Hu and Jing Wu and Hideaki Nakajima and Song Liu and Toshiya Okazaki and Wei Chen and Takeo Minari and Yoshiki Sakuma and Kazuhito Tsukagoshi and Kazu Suenaga and Takaaki Taniguchi and Minoru Osada},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1906.05436},
  year   = {2019}
}

备注

30 pages, 10 figures

基于气-液-固法的晶圆级确定性图案化单层 MoS2 生长

摘要

关键词

引用

备注

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