面向低温固源合成单层MoS2
应用物理
2021-09-20 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
二维（2D）半导体已被提出用于与现有硅技术异质集成；然而，其化学气相沉积（CVD）生长温度通常过高。在此，我们展示了在560 °C下50分钟内直接通过CVD固源前驱体合成连续单层（1L）MoS薄膜，处于现代硅技术后段制程兼容性所需的450至600 °C、2小时热预算窗口内。晶体管测量显示，在1 V漏源电压下，100 nm沟道长度的导通电流高达约140 ，这是迄今为止使用固源前驱体在600 °C以下生长的1L MoS报道的最高值。传输线法测试结构的有效迁移率在电子密度下为，与更高温度生长的薄膜报道的迁移率相当。本工作结果为实现与硅制造热预算兼容的高质量2D半导体异质集成提供了一条路径。
引用
@article{arxiv.2109.01927,
title = {Toward Low-Temperature Solid-Source Synthesis of Monolayer MoS2},
author = {Alvin Tang and Aravindh Kumar and Marc Jaikissoon and Krishna Saraswat and H. -S. Philip Wong and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.01927},
year = {2021}
}