在 h-BN 上直接生长具有优选相对旋转角的单层和少层 MoS2
材料科学
2015-09-01 v3
摘要
单层二硫化钼（MoS2）是一种极具前景的二维直接带隙半导体，在原子级薄层与柔性电子学中有潜在应用。对于 MoS2（及石墨烯等相关材料）而言，一种颇具吸引力的绝缘衬底或伴侣材料是六方氮化硼（h-BN）。MoS2 与 h-BN 的堆叠异质结构已通过手动转移方法制备，但亟需一种更高效且可扩展的组装方法。本文中，我们展示了通过化学气相沉积（CVD）法在 h-BN 上直接生长单层和少层 MoS2，该方法在适当结构化衬底下具有可扩展性。研究发现单层与少层样品的生长机制截然不同，且对于单层样品，MoS2 与 h-BN 晶格之间的低相对旋转角（<5度）占主导。此外，直接在 h-BN 上生长的 MoS2 保持其固有的 1.89 eV 带隙。我们的 CVD 合成方法向着可控且可扩展的基于 MoS2 的电子器件迈出了重要一步。
引用
@article{arxiv.1504.06641,
title = {Direct growth of single- and few-layer MoS2 on h-BN with preferred relative rotation angles},
author = {Aiming Yan and Jairo Velasco, and Salman Kahn and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Feng Wang and Michael F. Crommie and Alex Zettl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06641},
year = {2015}
}
备注
22 pages, 5 figures