原子级薄层 MoS2：一种新型直接带隙半导体
材料科学
2015-05-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过光学光谱学研究了由 N = 1, 2, ... 6 个 S-Mo-S 单层组成的二硫化钼超薄晶体的电子性质。通过吸收、光致发光和光电导光谱表征，我们追踪了量子限域效应对材料电子结构的影响。随着厚度减小，位于体材料直接带隙下方的间接带隙在能量上向上移动超过 0.6 eV。这导致在单层极限下转变为直接带隙材料。与体材料不同，MoS2 单层发出强光。与体材料相比，自由站立单层的发光量子效率提高了 1000 倍以上。
引用
@article{arxiv.1004.0546,
title = {Atomically thin MoS2: A new direct-gap semiconductor},
author = {Kin Fai Mak and Changgu Lee and James Hone and Jie Shan and Tony F. Heinz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.0546},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures