量子限域如何影响过渡金属硫化物TmS₂的电子结构
材料科学
2015-03-19 v1 计算物理
摘要
体相MoS₂是一种典型的层状过渡金属二硫化物，是间接带隙半导体。将其尺寸减小到单层时，MoS₂经历向直接带隙半导体的转变。我们通过第一性原理计算支持了这一实验观察，并表明层状d电子二硫化物中的量子限域可在纳米尺度上调谐电子结构。我们进一步研究了相关TmS₂纳米层（Tm = W, Nb, Re）的性质，并表明同位素取代的WS₂表现出类似的电子性质，而NbS₂和ReS₂无论尺寸如何均保持金属性。
引用
@article{arxiv.1104.3670,
title = {How does quantum confinement influence the electronic structure of transition metal sulfides TmS2},
author = {Agnieszka Kuc and Nourdine Zibouche and Thomas Heine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3670},
year = {2015}
}
备注
submitted to PRB on 22nd February 2011, still under revision!