单层 MoS2 中镶嵌的 ReS2 量子点
介观与纳米尺度物理
2019-12-19 v1 材料科学
摘要
二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs)因其固有的二维限制而成为量子器件的有前景材料。它们还提供了一个实现更低维面内电子限制（例如0D量子点）以获得奇异物理性质的平台。然而，在单层(1L)晶体中制备这种横向受限的单层纳米结构仍然具有挑战性。在此，我们报道通过两步化学气相沉积法结合等离子体处理，在1L MoS2中外延镶嵌实现1L ReS2量子点。ReS2与MoS2之间的横向晶格失配导致尺寸依赖的晶体结构演化以及1L ReS2纳米点的面内应变。光学光谱揭示了1L ReS2量子点与MoS2基体之间异常的电荷转移，其源于电子在1L ReS2量子点中的俘获。该研究可能为在二维材料中实现面内量子受限器件以用于量子信息的潜在应用铺平道路。
引用
@article{arxiv.1912.08746,
title = {Inlaid ReS2 Quantum Dots in Monolayer MoS2},
author = {Ziqian Wang and Ruichun Luo and Isaac Johnson and Hamzeh Kashani and Mingwei Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.08746},
year = {2019}
}