通过光力学与电力学探测悬浮 MoS2 单层中的相变
介观与纳米尺度物理
2020-11-24 v1 材料科学
摘要
二维材料的半导体单层能够将多种有趣的性质整合于单一组分中。此处，通过结合光机械与电学测量，我们展示了悬浮 MoS2 二维单层膜中存在部分 2H-1T 相变。在没有任何外部掺杂剂的情况下，MoS2 膜中的电子输运显示出出乎意料的忆阻性质。同时测量到膜的强烈机械软化，这可能仅与 2H-1T 相变相关，该相变使得拓扑 1T 相相对于半导体 2H 相产生 3% 的定向伸长。我们注意到仅百分之几的 2H-1T 相切换就足以观察到可测量的忆阻效应。我们的实验结果与第一性原理总能量计算相结合表明，硫空位扩散在相变初始成核中起关键作用。我们的研究清楚表明纳米力学是探测二维材料或薄膜中晶体相变的超灵敏技术。最后，更好地控制 MoS2 中观察到的忆阻效应的微观机制对于未来器件的实现十分重要。
引用
@article{arxiv.2011.11331,
title = {Phase Transition in a Memristive Suspended MoS2 Monolayer Probed by Opto- and Electro-Mechanics},
author = {Julien Chaste and Imen Hnid and Lama Khalil and Chen Si and Alan Durnez and Xavier Lafosse and Meng-Qiang Zhao and A. T. Charlie Johnson and Shengbai Zhang and Junhyeok Bang and Abdelkarim Ouerghi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.11331},
year = {2020}
}
备注
ACS nano (2020)