界面缺陷对基于 MoS$_2$ 的横向 T-H 异相结电子性质的影响
计算物理
2021-12-01 v1 材料科学
摘要
MoS 单层中半导体性(2H)与金属性(1T)相的共存进一步增强了其在基于二维横向异相结的下一代电子器件中的强劲潜力。结构缺陷对这些二维器件的性质有显著影响。特别地,两相界面常不完美,并可能包含由相工程手段(如电子束下)产生的众多空位。此处,借助第一性原理计算与非平衡格林函数方法,探究了存在点缺陷时异相结的输运行为。尽管半导体 MoS 中的空位充当散射中心,但其在界面的存在改善了载流子流动。在 情形下,与完美器件相比电流增加两个数量级。透射的增强由 T-H 界面电子密度的变化解释,其开启了电子传导的新输运通道。
引用
@article{arxiv.2108.03723,
title = {Effect of Interfacial Defects on the Electronic Properties of MoS$_2$ Based Lateral T-H Heterophase Junctions},
author = {Mohammad Bahmani and Mahdi Ghorbani-Asl and Thomas Frauenheim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.03723},
year = {2021}
}
备注
24 pages, 8 figures