缺陷诱导的 MoS2 单层导电各向异性
材料科学
2014-03-04 v3
摘要
利用基于密度泛函的紧束缚方法结合格林函数方法，研究了 MoS2 单层中各类缺陷及其对电子结构和输运性质的影响。MoS2 单层中的本征缺陷显著影响其电子性质；即使在低浓度下，它们也会大幅改变量子电导。虽然 pristine MoS2 中的电子输运实际上是各向同性的，但在存在缺陷时观察到强烈的各向异性。在半导体 MoS2 中观察到局域化的带隙中间态，这些态不贡献电导率，但会对电流产生方向依赖的散射，且电导率在穿过线缺陷和选定的晶界模型时显著降低。
引用
@article{arxiv.1311.0474,
title = {Defect-induced conductivity anisotropy in MoS2 monolayers},
author = {Mahdi Ghorbani-Asl and Andrey N. Enyashin and Agnisezka Kuc and Gotthard Seifert and Thomas Heine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0474},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 6 figures, submition to Phys. Rev. B