应变工程调控缺陷的单层$ReS_2$的电子结构与光学性质
材料科学
2016-11-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
采用第一性原理计算，我们研究了应变工程下含空位的单层，重点关注其形成能、带隙、电子态密度、有效质量及光学性质。计算结果表明，S4缺陷比其他类型空位更容易形成。应变诱导的不对称形变使其能带结构由直接带隙转变为间接带隙。分波态密度分析表明，Re-d、Re-p和S-d轨道是缺陷态的主要组分，不同于，缺陷态同时位于费米能级上方和下方。此外，有效质量对外加应变敏感且具有各向异性。反射谱可通过外加应变大幅调控，这表明ReS2单层在纳米级应变传感器和电导开关场效应晶体管中具有广阔应用前景。
引用
@article{arxiv.1611.08509,
title = {Electronic Structure and Optical Properties of Monolayer $ReS_2$ with Defect Controlled by Strain Engineering},
author = {Y. M. Min and L. Z. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.08509},
year = {2016}
}
备注
24 pages with 12 figs and 1 table