一种应变可调的单层 MoS2 光电探测器
应用物理
2019-07-18 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
应变工程旨在通过施加应变来调节半导体的带隙，已成为控制二维（2D）材料电学和光学性质的一种有趣方式。除了 2D 材料本征性质的变化外，施加应变还可用于修改基于它们的器件特性。在这项工作中，我们研究了在双轴应变作用下基于单层 MoS2 的柔性透明光电探测器。我们发现，通过控制应变水平，我们可以调节器件的光响应度（2-3 个数量级）、响应时间（从 <80 ms 到 1.5 s）和光谱带宽（应变因子为 135 meV/% 或 58 nm/%）。
引用
@article{arxiv.1902.02802,
title = {A strain tunable single-layer MoS2 photodetector},
author = {Patricia Gant and Peng Huang and David Pérez de Lara and Dan Guo and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.02802},
year = {2019}
}
备注
3 main text figures and 12 supporting information figures