原子级薄 MoS2 中的局部应变工程
介观与纳米尺度物理
2013-12-05 v2 材料科学
摘要
通过对材料施加应变来调节其电子特性是提升半导体电子器件性能的重要策略。利用局部应变，可以工程化激子的限制势，为量子光学中的激子捕获和太阳能的高效收集带来令人兴奋的可能性。二维材料在断裂前能够承受巨大的应变，这为引入大的局部应变提供了独特的机会。在此，我们研究了通过从基底受控剥离诱导产生高达 2.5% 大局部应变的原子级薄 MoS2 层。利用同步扫描拉曼和光致发光成像，我们在空间上分辨出由局部应变诱导的高达 90 meV 的直接带隙减小。我们观察到一种漏斗效应，其中激子在复合前漂移数百纳米至较低带隙区域，证明了通过局部应变实现的激子限制。这些观测结果得到了原子紧束缚模型的支持，该模型旨在预测非均匀应变对 MoS2 中局部电子态的影响。产生大的应变诱导激子捕获势变化的可能性，为原子级薄材料在光伏、量子光学和二维光电器件等多种应用打开了大门。
引用
@article{arxiv.1306.3804,
title = {Local strain engineering in atomically thin MoS2},
author = {Andres Castellanos-Gomez and Rafael Roldán and Emmanuele Cappelluti and Michele Buscema and Francisco Guinea and Herre S. J. van der Zant and Gary A. Steele},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.3804},
year = {2013}
}
备注
Supp.Info. not included here, available following a link included in the text