基于暗激子的过渡金属硫族化物应变传感
介观与纳米尺度物理
2019-06-05 v1
摘要
现代技术中朝向更小更高性能设备的趋势需要具有新功能的新型材料。近来原子级薄二维（2D）材料的出现为设计超薄柔性纳米电子器件提供了可能。作为真正的二维材料，它们展现出最优的表面积体积比，从而导致对外界变化的极高灵敏度。这使这些材料成为传感应用的理想候选。在此，我们利用单层过渡金属硫族化物中极为多样的激子图谱，提出一种基于暗激子的新型超灵敏应变传感器概念。我们证明暗-亮激子分离可由应变控制，这对暗激子态的激活有关键影响。当仅施加 0.05 应变时，这会导致光致发光谱中暗激子强度的显著变化。所预测的高达 8000 的极高性能光学应变因子对于光学应变传感器的设计颇具前景。
引用
@article{arxiv.1806.07350,
title = {Dark-exciton based strain sensing in transition metal dichalcogenides},
author = {Maja Feierabend and Zahra Khatibi and Gunnar Berghäuser and Ermin Malic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.07350},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures