MoS2 的应变工程调控肖特基势垒与电输运
介观与纳米尺度物理
2020-04-14 v1
摘要
应变提供了一种在保留材料本征化学组成的同时调控电学性质的有效手段。与三维固体不同，二维材料可承受更高水平的弹性应变，从而更易调控各类电学性质以满足技术需求。本工作探究了单轴拉伸应变对双层及少层 MoS2（一种有前景的二维半导体）电输运性质的影响。对应于面内振动模式的拉曼位移随应变红移，表明面内声子模式软化。光致发光测量显示直接跃迁与间接跃迁峰红移，意味着材料带隙减小。输运测量显示电导率显著增强，双层器件压阻应变因子约321，优于硅。基于实验发现的模拟揭示，除 MoS2 电阻降低外，电学接触处的肖特基势垒高度也显著下降。研究表明，应变是调控二维材料电学性质的重要且多用途的因素，亦可用于未来器件工程中构建高效电学接触。
引用
@article{arxiv.2004.05061,
title = {Strain-engineering the Schottky barrier and electrical transport on MoS2},
author = {Ashby Phillip John and Arya Thenapparambil and Madhu Thalakulam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.05061},
year = {2020}
}