单层 MoS$_2$ 的双轴与单轴应变调控比较
应用物理
2021-05-11 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
应变工程已成为调控二维半导体（如二硫化钼（MoS2））电子与光学性质的有力技术。尽管若干理论工作预测双轴应变比单轴应变更能有效调控 MoS2 的能带结构，文献中仍缺乏直接的实验验证。本文中我们搭建了一个简单实验装置，可通过弯曲十字形聚合物衬底施加双轴应变。我们利用该装置研究双轴应变对 12 个单层 MoS2 薄片差分光反射谱的影响，发现激子特征红移，双轴拉伸速率介于 -40 meV/% 至 -110 meV/% 之间。我们还直接比较了同一单层 MoS2 上双轴与单轴应变的影响，发现双轴应变规因子为单轴应变规因子的 2.3 倍。
引用
@article{arxiv.2012.11661,
title = {Biaxial versus uniaxial strain tuning of single-layer MoS$_2$},
author = {Felix Carrascoso and Riccardo Frisenda and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.11661},
year = {2021}
}
备注
5 figures + 1 table in the main text. 6 figures in the supp. info