通过单轴应变在单层MoSe2中实现精确可逆带隙调控
材料科学
2016-04-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们给出了单层MoSe2的光致发光（PL）光谱测量，作为其均匀单轴应变的函数。描述了一种简单的夹紧与弯曲方法，能够对层状二维材料施加高达1.1%且无滑动的单轴应变。利用该技术，我们发现单层MoSe2的电子带隙可按每百分之一应变 -27 ± 2 meV 的幅度可逆调控。这与我们的密度泛函理论计算一致，后者在考虑弯曲时基底变形作用的情况下，估算出每百分之一应变 -32 meV 的调制量。最后，由于相较于MoS2其PL谱线较窄，我们表明MoSe2能更精确地确定应变的微小变化，使其成为应变应用的理想二维材料。
引用
@article{arxiv.1511.09241,
title = {Precise and reversible band gap tuning in single-layer MoSe2 by uniaxial strain},
author = {Joshua O. Island and Agnieszka Kuc and Erik H. Diependaal and Rudolf Bratschitsch and Herre S. J. van der Zant and Thomas Heine and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.09241},
year = {2016}
}
备注
14 pages, 6 figures including Supporting Information (2 pages, 3 figures)