单轴应变对少层InSe能带结构的显著调控
介观与纳米尺度物理
2018-03-20 v1
摘要
由于强量子限域效应，少层{\gamma}-InSe呈现层依赖的带隙，覆盖可见光与近红外区域，因此近期引起巨大关注。作为二维材料，机械柔性为电子结构提供了额外的调控手段。在此，我们首次通过单轴拉伸应变调控少层及类块体InSe的能带结构，并观察到光致发光(PL)峰的显著移动。对于4至8层样品，光学带隙的移动速率约为每1%应变90-100 meV，远大于广泛研究的MoS2单层。密度泛函计算很好地复现了观察到的层依赖带隙与应变效应，并揭示少层InSe的移动速率随层数增加而减小。我们的研究表明InSe是一种非常通用的2D电子与光电子材料，适用于可调光发射器、光电探测器及其他光电子器件。
引用
@article{arxiv.1711.01715,
title = {Largely tunable band structures of few-layer InSe by uniaxial strain},
author = {Chaoyu Song and Fengren Fan and Ningning Xuan and Shenyang Huang and Guowei Zhang and Chong Wang and Zhengzong Sun and Hua Wu and Hugen Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.01715},
year = {2018}
}
备注
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