少层 InSe 量子井中离子能级转换与量子哈尔四重态的巨大可调性
介观与纳米尺度物理
2024-02-27 v2
摘要
二维量子电子体系以离子化能级或次能级特征。填充更高次能级并控制能级间转换具有广泛的技术应用，如光调制器和量子级联激光器。然而，在传统材料中，能级间间距的可调性受限。本文演示了通过控制层厚度以及垂直位移场，对少层 InSe 量子井中第二次能级的电荷填充与表征，实现其能量、载流子浓度和自旋轨道耦合强度的巨大可调性。可实现高达 350% 或 250 meV 以上的调制，凸显 InSe 在可调红外和 THz 源、探测器和调制器中的前景。
引用
@article{arxiv.2312.03228,
title = {Giant Tunability of Intersubband Transitions and Quantum Hall Quartets in Few-Layer InSe Quantum Wells},
author = {Dmitry Shcherbakov and Greyson Voigt and Shahriar Memaran and Gui-Bin Liu and Qiyue Wang and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Dmitry Smirnov and Luis Balicas and Fan Zhang and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.03228},
year = {2024}
}