硅量子阱的双子带电导

本文报道了在 270 mK 下，具有 14 nm 厚 Si 层的双栅 SiO$_2$-Si-SiO$_2$ 量子阱中的双子带输运。在对称阱势下，当通过栅极电压将总密度调节在 $\sim 0.7\times 10^{16}$ $-3.0\times 10^{16}$ m$^{-2}$ 之间时，实验子带间距从 2.3 meV 单调变化到 0.3 meV。电导在大的栅极偏压窗口中被映射，并显示出强烈的非单调特征。在对称阱势和高密度下，这些特征被归因于量子化方向上子带波函数的离域以及 Si 阱顶部和底部界面的不同无序。在接近双层/第二子带阈值时，非单调行为被解释为源于局域带尾电子的散射。