原子层沉积栅介质 InSb 量子阱的表征
介观与纳米尺度物理
2012-12-07 v1 材料科学
摘要
我们报告了对具有高质量原子层沉积生长的 Al2O3 介质（40 nm 厚）的栅控 InSb 量子阱（QW）的磁输运测量。磁阻数据显示，样品在零栅压（Vg）下存在平行导电通道。Al2O3 与顶层 InSb 之间良好的界面确保了在负 Vg 下平行通道被耗尽，且量子阱中二维电子密度可通过 Vg 调节，其比率高达 6.5x1014 m-2V-1，但在大负 Vg 下趋于饱和。这些发现与自洽 Schrödinger-Poisson 模拟和双载流子模型所建议的量子阱层结构密切相关。
引用
@article{arxiv.1212.1242,
title = {Characterization of InSb quantum wells with atomic layer deposited gate dielectrics},
author = {M. M. Uddin and H. W. Liu and K. F. Yang and K. Nagase and T. D. Mishima and M. B. Santos and Y. Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.1242},
year = {2012}
}
备注
11 pages,3 figures