栅极可调高迁移率远程掺杂 InSb/In_{1-x}Al_{x}Sb 量子阱异质结构
介观与纳米尺度物理
2015-04-09 v1 材料科学
摘要
报道了在 GaAs 衬底上生长的栅极可调高迁移率 InSb/In_{1-x}Al_{x}Sb 量子阱（QWs）。在 T=1.8K 时测得量子阱二维电子气（2DEG）沟道迁移率超过 200,000 cm^{2}/Vs。在采用原子层沉积形成的 HfO_{2} 栅介质层的非对称远程掺杂样品中，消除了平行导电，并在 2DEG 电子密度的栅偏压响应中仅有最小迟滞的情况下实现了 2DEG 沟道的完全耗尽。观测到了填充因子低至 1 的整数量子霍尔效应。在 1.8K 下实现了与 2DEG 接触电阻低于 1{\Omega} \cdot mm 的高透明度非合金欧姆接触。
引用
@article{arxiv.1503.06710,
title = {Gate-tunable high mobility remote-doped InSb/In_{1-x}Al_{x}Sb quantum well heterostructures},
author = {Wei Yi and Andrey A. Kiselev and Jacob Thorp and Ramsey Noah and Binh-Minh Nguyen and Steven Bui and Rajesh D. Rajavel and Tahir Hussain and Mark Gyure and Philip Kratz and Qi Qian and Michael J. Manfra and Vlad S. Pribiag and Leo P. Kouwenhoven and Charles M. Marcus and Marko Sokolich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.06710},
year = {2015}
}
备注
25 pages, 10 figures