高透明性诱导场效应二维电子气中的超导性：基于无掺杂 InAs/AlGaSb 表面量子井

我们报告了场效应二维电子气（2DEG）在 24 nm 宽�tin 砷化物表面量子井中的传输特征。观察到高质量单亚阱磁传输表现，清晰的整数量子霍尔台阶在磁场达到 18 T 时，填充因子 $\nu=2$ 处呈现清晰的量子霍尔台阶，电子密度可达 $8\times 10^{11}$ /cm$^2$。在 $2\times 10^{12}$ /cm$^2$ 时，峰值迁移率达到 11000 cm$^2$/Vs。通过弱反局域（WAL）测量获得了最高可达 124 meV$\cdot$\r{A$的大型 Rashba 自旋轨道系数。我们在基于 Nb 的超导体-正常-超导体（SNS）异构结构中展示了原 Proximity 超导性，实现了 78$-$99$I_c R_{\text{N}}$最高可达 870$\mu$V，临界电流密度最高可达 9.6$\mu$A/$\mu$m，这是目前报道的 Nb-InAs SNS 器件中最大的数值之一。