近表面 InAs 二维异质结构的输运性质
介观与纳米尺度物理
2019-01-10 v3
摘要
限制在窄带半导体表面的二维电子系统（2DESs）引起了极大兴趣，因为它们可以轻松与超导（或铁磁）集成，从而在混合器件架构和超导邻近区奇异态研究中带来新的可能。在这项工作中，我们研究了砷化铟异质结构，其中可实现洁净界面与超导性、高迁移率和强自旋轨道耦合的结合。弱反局域化测量表明在高密度下存在强自旋轨道耦合。我们研究了磁输运随顶部势垒和密度的变化，并报告了对整数量子霍尔态的清晰观测。我们报告了在未掺杂异质结构中电子迁移率提升至高达 44,000 cm/Vs，以及从低至 2.5~T 起就发育良好的整数量子霍尔态。
引用
@article{arxiv.1802.09569,
title = {Transport Properties of Near Surface InAs Two-dimensional Heterostructures},
author = {Kaushini Wickramasinghe and William Mayer and Joseph Yuan and Tri Nguyen and Lucy Jiao and Vladimir Manucharyan and Javad Shabani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09569},
year = {2019}
}