修复InAs基拓扑异质结的表面
介观与纳米尺度物理
2019-08-26 v1
摘要
拓扑保护量子比特的候选系统包括基于异质结的二维电子气（2DEGs），这些异质结表现出强自旋轨道相互作用（SOI）和通过邻近效应产生的超导电性。对于InAs或InSb基材料，为了形成具有硬能隙的波超导态，需要制备浅量子阱，这常常使其遭受制造过程引入的损伤，从而限制了其迁移率。在此，我们研究了经过工艺处理的InAs 2DEG量子阱中的散射机制，并展示了一种通过修复半导体-介电界面来提高其迁移率的方法。使用氩氢等离子体钝化带电杂质态，相较于未处理的样品，显著提高了测量的迁移率并降低了其方差，在10 nm深的量子阱中迁移率高达45300 cm/(V s)。
引用
@article{arxiv.1908.08689,
title = {Repairing the Surface of InAs-based Topological Heterostructures},
author = {S. J. Pauka and J. D. S. Witt and C. N. Allen and B. Harlech-Jones and A. Jouan and G. C. Gardner and S. Gronin and T. Wang and C. Thomas and M. J. Manfra and D. J. Reilly and M. C. Cassidy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08689},
year = {2019}
}