利用极浅非掺杂异质结构区分GaAs和AlGaAs中的杂质浓度
介观与纳米尺度物理
2021-09-17 v1
摘要
我们展示了一种制备极浅、可加栅极、非掺杂二维电子气的方法。我们开发了一种为这些结构制作极低电阻接触的方法，并系统地研究了迁移率随二维电子气深度（从300nm到30nm）的演化。我们展示了一种从数据中提取关于GaAs和AlGaAs中背景杂质浓度、界面粗糙度以及表面态电荷的定量信息的方法。从分子束外延生长的角度来看，这些信息非常有用。由于需要足够大的间隔层来减少来自远程电离掺杂剂的散射和开关噪声，利用调制掺杂很难制备如此浅的高迁移率二维电子气。
引用
@article{arxiv.1007.1019,
title = {Distinguishing impurity concentrations in GaAs and AlGaAs, using very shallow undoped heterostructures},
author = {W. Y. Mak and K. Das Gupta and H. E. Beere and I. Farrer and F. Sfigakis and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1019},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 5 eps figures