未掺杂 GaAs/AlGaAs 二维电子气中的超浅量子点
介观与纳米尺度物理
2015-03-19 v2
摘要
我们报道了在仅位于表面以下 30 nm 处的极浅二维电子气上制备的量子点，该电子气位于通过分子束外延生长的未掺杂 GaAs/AlGaAs 异质结构中。由于没有掺杂剂，与具有相似深度的掺杂异质结构相比，在 2E11 /cm^2 下观察到迁移率提高了一个数量级以上。这些未掺杂晶片可以很容易地用电子束光刻图案化的表面金属栅极进行栅控，正如本文通过展示一个量子点的单能级输运所证明的那样，该量子点表现出大的充电能（高达 1.75 meV）和激发态能（高达 0.5 meV）。
引用
@article{arxiv.1112.5150,
title = {Ultra-shallow quantum dots in an undoped GaAs/AlGaAs 2D electron gas},
author = {W. Y. Mak and F. Sfigakis and K. Das Gupta and O. Klochan and H. E. Beere and I. Farrer and J. P. Griffiths and G. A. C. Jones and A. R. Hamilton and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5150},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures; added figures, references, equations, and text; results/conclusions otherwise unchanged