空穴迁移率超过 10^6 cm^2/Vs 的碳掺杂对称 GaAs/AlGaAs 量子阱
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
利用一种新型碳掺杂源，我们在 GaAs/AlGaAs 异质系统的对称量子阱结构中制备了二维空穴气。在 GaAs (001) 衬底上，密度为 2.3 x 10^11 cm^-2 时，低温空穴迁移率高达 1.2 x 10^6 cm^2/Vs。与电子系统不同，空穴迁移率对量子阱宽度和间隔层厚度的变化非常敏感。特别是，当量子阱宽度从最优值 15 nm 增加到 18 nm 时，空穴迁移率降低了 35%。超高迁移率电子系统的质量不受所用碳掺杂源的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501492,
title = {Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs},
author = {C. Gerl and S. Schmult and H. - P. Tranitz and C. Mitzkus and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501492},
year = {2009}
}