掺碳掺杂高迁移率二维空穴层于面向 (110) 的 GaAs 基片上
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v1
摘要
在单异质结 GaAs/AlGaAs 结构中，生长了掺碳掺杂的高迁移率二维空穴层，其空穴迁移率超过 10^6 cm^2/Vs。处于这些高迁移率条件下，观察到明显的迁移率各向异性。研究发现，Rashba 诱导的自旋分裂在这些非对称结构中与传输方向无关。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503323,
title = {Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs},
author = {S. Schmult and C. Gerl and U. Wurstbauer and C. Mitzkus and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503323},
year = {2016}
}