强自旋轨道耦合高迁移率 Ga(x)In(1-x)As/InP 二维电子气中的弱反局域化
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了 GaInAs/InP 异质结中高迁移率二维电子气的自旋轨道相互作用，将其作为外加栅极电压和温度的函数进行了考察。在广泛的电子面浓度范围内，进行了高灵敏度的弱反局域化磁输运测量以及 Shubnikov--de Haas 振荡测量。在我们的样品中，电子输运在整个外加栅极电压范围内均处于强自旋进动机制，其特征是自旋进动长度短于弹性平均自由程。Rashba 自旋轨道耦合参数的大小是通过根据 Golub 最近提出的模型 [Phys. Rev. B 71, 235310 (2005)] 模拟量子电导修正并拟合实验曲线来确定的。将使用该模型提取的 Rashba 耦合参数与从 Shubnikov--de Haas 振荡拍频模式分析中估计的值进行比较，结果显示吻合良好。
引用
@article{arxiv.0709.1326,
title = {Weak antilocalization in high mobility Ga(x)In(1-x)As/InP two-dimensional electron gases with strong spin-orbit coupling},
author = {Vitaliy A. Guzenko and Thomas Schäpers and Hilde Hardtdegen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1326},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures, accepted for publication in Phys.Rev.B