InAs/GaSb 异质结构中由弱反局域化量化的自旋轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2017-04-19 v2
摘要
我们研究了 InAs/GaSb 和 InAs 量子阱中的自旋轨道相互作用 (SOI)。通过温度和栅压依赖的弱反局域化磁输运测量，我们表明在低迁移率异质结构中主导的自旋轨道弛豫机制是 Elliott-Yafet 机制，而非先前认为的 Rashba 或 Dresselhaus 形式的 Dyakonov-Perel 机制。我们将我们的发现与近期关于该材料体系的工作进行比较，表明 SOI 长度处于同一范围。SOI 长度可通过静电栅极控制，为开发自旋电子学应用开辟了前景。
引用
@article{arxiv.1610.09749,
title = {Spin-orbit interaction in InAs/GaSb heterostructures quantified by weak antilocalization},
author = {F. Herling and C. Morrison and C. S. Knox and S. Zhang and O. Newell and M. Myronov and E. H. Linfield and C. H. Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.09749},
year = {2017}
}