多栅极InAs纳米线中Rashba自旋轨道相互作用的电学调控
介观与纳米尺度物理
2016-08-03 v1
摘要
砷化铟(InAs)纳米线(NWs)是制造量子电子器件的有前景平台，其中它们具有强自旋轨道相互作用(SOI)。在基于自旋的量子器件中，需要对SOI进行可控调控。在本研究中，我们探究通过静电场调控SOI的可能性，该静电场由背栅和放置在纳米线相对两侧的两个侧栅产生。SOI的强度通过弱反局域化效应分析。我们证明，在平均电子密度保持恒定的情况下，SOI的强度可随纳米线两端的电场强调控达2倍。此外，引入了一个简单的静电模型来计算SOI的预期变化。实验结果和由栅极感应电场产生的估计Rashba型SOI之间发现了良好一致。
引用
@article{arxiv.1601.01854,
title = {Electrical tuning of Rashba spin-orbit interaction in multigated InAs nanowires},
author = {Zoltán Scherübl and Gergő Fülöp and Morten Hannibal Madsen and Jesper Nygård and Szabolcs Csonka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01854},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 3 figures