InAs纳米线表面二维电子气的Rashba耦合强度测定
介观与纳米尺度物理
2016-01-06 v1
摘要
半导体自旋电子学领域的一个关键概念是通过自旋轨道耦合(SOC)实现电场对自旋的控制，而SOC强度决定了这种控制的效率。我们提出了一种新方法，可用于实验确定弹道InAs纳米线的Rashba SOC强度。研究了均匀磁场中具有表面二维电子气(2DEG)的纳米线内载流子的能谱与弹道输运。推导了复杂子带结构情况下线性响应一维弹道热电势的一般公式。研究表明，弹道电导和热电势由于强SOC而呈现出特定特征，这使我们提出一种确定SOC强度的方法。
引用
@article{arxiv.1512.07984,
title = {Determination of Rashba-coupling strength for surface two-dimensional electron gas in InAs nanowires},
author = {I. A. Kokurin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.07984},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 3 figures