高朗德g因子半导体中电子-电子磁相互作用引起的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们使用蒙特卡罗方法研究了InSb/InAlSb异质结构中的自旋输运，并通过引入自旋的密度矩阵描述以考虑自旋动力学对该方法进行了推广。除了用于自旋控制和弛豫的主导Dyakonov-Perel (DP) 机制外，我们还考虑了电子间的磁相互作用，该相互作用由于材料中较高的电子朗德g因子而变得重要。研究发现，虽然磁相互作用在低密度下并不重要，但在较高密度下它能使自旋弛豫长度减少多达50%。我们还提出了一项计算，阐明了在DP弛豫机制中归因于波矢依赖性磁场的退相干抑制现象。我们指出，磁相互作用是一种普遍的弛豫机制，在具有高电子朗德g因子的材料中可能发挥重要作用。
引用
@article{arxiv.1008.0739,
title = {Spin relaxation due to electron-electron magnetic interaction in high Lande g-factor semiconductors},
author = {Akashdeep Kamra and Bahniman Ghosh and Tarun K. Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0739},
year = {2015}
}
备注
accepted for publication in Journal of Applied Physics